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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E

MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E

Nur als Referenz

Teilenummer MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
PNEDA Teilenummer MT53D512M64D4BP-046-WT-ES-E
Beschreibung IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53D512M64D4BP-046 WT ES:E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53D512M64D4BP-046 WT ES:E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße32Gb (512M x 64)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz1866MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.1V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Macronix

Serie

MX25xxx45 - MXSMIO™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

120MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

30µs, 750µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (8x6)

IDT71T75702S75PFG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

IS42S16800E-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

W948D2FBJX5I TR

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-TFBGA

Lieferantengerätepaket

90-VFBGA (8x13)

71V016SA15BF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-CABGA (7x7)

Kürzlich verkauft

4608X-102-682LF

4608X-102-682LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 6.8K OHM 8SIP

HCTL-1101-PLC

HCTL-1101-PLC

Broadcom

IC MOTOR DRIVER BIPOLAR 44PLCC

PI3USB30532ZLE

PI3USB30532ZLE

Diodes Incorporated

IC MUX/DEMUX USB 3.0 40TQFN

FHAC0001ZXJ

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Littelfuse

FUSE HLDR BLADE 32V 20A IN LINE

SI4946BEY-T1-E3

SI4946BEY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC

ADM3252EABCZ

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TVS DIODE 15V 24.4V DO214AA

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JANTX1N4148-1

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