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MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D

Nur als Referenz

Teilenummer MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D
PNEDA Teilenummer MT53D1024M32D4NQ-053-WT-ES-D
Beschreibung IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53D1024M32D4NQ-053 WT ES:D Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße32Gb (1G x 32)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz1866MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.1V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall200-VFBGA
Lieferantengerätepaket200-VFBGA (10x14.5)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

7006L17G

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

17ns

Zugriffszeit

17ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

68-BPGA

Lieferantengerätepaket

68-PGA (29.46x29.46)

S29GL256P10FFIS13

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

W631GG8KB-11

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

78-WBGA (10.5x8)

DS2502AX-500+T

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

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