MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT53B512M64D8HR-053-WT-ES-B-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.374 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Datasheet
- where to find MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR PDF Datasheet
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Stock
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Pinout
- Datasheet MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Price
- MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Distributor
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 32Gb (512M x 64) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 1866MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3L Speichergröße 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 96-TFBGA Lieferantengerätepaket 96-TWBGA (9x13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 33MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 250ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 40-TSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 24-CDIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 24-CDIP |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 36Mb (1M x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 117MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 7.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns Zugriffszeit 12ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
