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MT53B256M64D2NV MS

MT53B256M64D2NV MS

Nur als Referenz

Teilenummer MT53B256M64D2NV MS
PNEDA Teilenummer MT53B256M64D2NV-MS
Beschreibung LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 2.916
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MT53B256M64D2NV MS Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT53B256M64D2NV MS
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT53B256M64D2NV MS Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße16Gb (256M x 64)
Speicherschnittstelle-
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.1V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

71V3577S75BGG

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

117MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

JS28F256J3F105B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8, 16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

105ns

Zugriffszeit

105ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

TC58CVG0S3HRAIG

Toshiba Memory America, Inc.

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

155µs

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-WSON (6x8)

PC28F256P33B2F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-TBGA

Lieferantengerätepaket

64-EasyBGA (8x10)

Hersteller

Macronix

Serie

MX29SL

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

Kürzlich verkauft

T491A105K035AT

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KEMET

CAP TANT 1UF 10% 35V 1206

BZT52C8V2S-7-F

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