MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR
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| Teilenummer | MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR |
| PNEDA Teilenummer | MT53B256M32D1DS-062-XT-C-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 8G 1600MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 8Gb (256M x 32) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 1600MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.1V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 200-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 200-WFBGA (10x14.5) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 4Kb (512 x 8, 256 x 16) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 2MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 4.2ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 4.5Mb (256K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8.5ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
