MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
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| Teilenummer | MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT52L256M64D2LZ-107-WT-B-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 16G 933MHZ FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.552 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.2V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 216-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 216-FBGA (12x12) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 75MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ms, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOJ |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
