MT52L256M64D2GN-107 WT:B
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT52L256M64D2GN-107 WT:B |
| PNEDA Teilenummer | MT52L256M64D2GN-107-WT-B |
| Beschreibung | IC DRAM 16G 933MHZ FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.150 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT52L256M64D2GN-107 WT:B Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT52L256M64D2GN-107 WT:B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT52L256M64D2GN-107 WT:B Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
| Speichergröße | 16Gb (256M x 64) |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.2V |
| Betriebstemperatur | -30°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 256-WFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 256-FBGA (14x14) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 64Kb (8K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 68-LCC (J-Lead) Lieferantengerätepaket 68-PLCC (24.21x24.21) |
