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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR

MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR
PNEDA Teilenummer MT48LC4M32B2P-6A-AAT-L-TR
Beschreibung IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR, MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Datenblatt (Total Pages: 81, Größe: 4.652,5 KB)
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MT48LC4M32B2P-6A AAT:L TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM
Speichergröße128Mb (4M x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit5.4ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket86-TSOP II

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

8Gb (8G x 1)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

256b (32 x 8)

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15µs

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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