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MT47H64M8CB-5E:B

MT47H64M8CB-5E:B

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H64M8CB-5E:B
PNEDA Teilenummer MT47H64M8CB-5E-B
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H64M8CB-5E:B Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H64M8CB-5E:B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H64M8CB-5E:B, MT47H64M8CB-5E:B Datenblatt (Total Pages: 139, Größe: 9.398,13 KB)
PDFMT47H32M16CC-3:B TR Datenblatt Cover
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MT47H64M8CB-5E:B Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße512Mb (64M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit600ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-FBGA
Lieferantengerätepaket60-FBGA

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speicherformat

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Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

71V65903S80BG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

Speichergröße

9Mb (512K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BGA

Lieferantengerätepaket

119-PBGA (14x22)

MT28F800B5WP-8 B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP I

93C86AT-E/SN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

2ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

BQ2024DBZR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EPROM

Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1.5K (6 pages x 32 bytes)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.65V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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