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MT47H64M4BP-37E:B TR

MT47H64M4BP-37E:B TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H64M4BP-37E:B TR
PNEDA Teilenummer MT47H64M4BP-37E-B-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H64M4BP-37E:B TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H64M4BP-37E:B TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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MT47H64M4BP-37E:B TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße256Mb (64M x 4)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz267MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit500ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-FBGA
Lieferantengerätepaket60-FBGA (8x12)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

48Gb (1.5G x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1866MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QUAD

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 1.89V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-LFBGA (15x17)

RM25C64C-LTAI-B

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

Mavriq™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

CBRAM®

Technologie

CBRAM

Speichergröße

64kb (32B Page Size)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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