MT47H512M4THN-25E:M
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT47H512M4THN-25E:M |
| PNEDA Teilenummer | MT47H512M4THN-25E-M |
| Beschreibung | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.330 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 1 - Apr 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT47H512M4THN-25E:M Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT47H512M4THN-25E:M |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT47H512M4THN-25E:M, MT47H512M4THN-25E:M Datenblatt
(Total Pages: 13, Größe: 312,31 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT47H512M4THN-25E:M Datasheet
- where to find MT47H512M4THN-25E:M
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-25E:M
- MT47H512M4THN-25E:M PDF Datasheet
- MT47H512M4THN-25E:M Stock
- MT47H512M4THN-25E:M Pinout
- Datasheet MT47H512M4THN-25E:M
- MT47H512M4THN-25E:M Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT47H512M4THN-25E:M Price
- MT47H512M4THN-25E:M Distributor
MT47H512M4THN-25E:M Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Speichergröße | 2Gb (512M x 4) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 400ps |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-FBGA (8x10) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 512Kb (32K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 128-LQFP Lieferantengerätepaket 128-TQFP (14x20) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.2V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-VFBGA Lieferantengerätepaket 48-VFBGA (6x8) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20ns Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-SOJ |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR II Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 2.2V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
