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MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H32M8BP-5E:B
PNEDA Teilenummer MT47H32M8BP-5E-B
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H32M8BP-5E:B Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H32M8BP-5E:B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H32M8BP-5E:B, MT47H32M8BP-5E:B Datenblatt (Total Pages: 133, Größe: 9.390,91 KB)
PDFMT47H16M16BG-3 IT:B TR Datenblatt Cover
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MT47H32M8BP-5E:B Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße256Mb (32M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit600ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-FBGA
Lieferantengerätepaket60-FBGA (8x12)

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

8Kb (512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-MSOP

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8, 512 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

32-DIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

32-PDIP

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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