MT47H32M16HR-25E:G
Nur als Referenz
Teilenummer | MT47H32M16HR-25E:G |
PNEDA Teilenummer | MT47H32M16HR-25E-G |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 16.419 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 7 - Nov 12 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
MT47H32M16HR-25E:G Ressourcen
Marke | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MT47H32M16HR-25E:G |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT47H32M16HR-25E:G Datasheet
- where to find MT47H32M16HR-25E:G
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-25E:G
- MT47H32M16HR-25E:G PDF Datasheet
- MT47H32M16HR-25E:G Stock
- MT47H32M16HR-25E:G Pinout
- Datasheet MT47H32M16HR-25E:G
- MT47H32M16HR-25E:G Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT47H32M16HR-25E:G Price
- MT47H32M16HR-25E:G Distributor
MT47H32M16HR-25E:G Technische Daten
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR2 |
Speichergröße | 512Mb (32M x 16) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 400ps |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.9V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 85°C (TC) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 84-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 84-FBGA (8x12.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße 24Gb (384M x 64) Speicherschnittstelle - Taktfrequenz 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.1V Betriebstemperatur -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Adesto Technologies Hersteller Adesto Technologies Serie Mavriq™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat CBRAM® Technologie CBRAM Speichergröße 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100µs, 1.2ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.1ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x20) |
Cypress Semiconductor Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie MoBL® Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |