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MT47H16M16BG-37E:B TR

MT47H16M16BG-37E:B TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H16M16BG-37E:B TR
PNEDA Teilenummer MT47H16M16BG-37E-B-TR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H16M16BG-37E:B TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H16M16BG-37E:B TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H16M16BG-37E:B TR, MT47H16M16BG-37E:B TR Datenblatt (Total Pages: 133, Größe: 9.390,91 KB)
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MT47H16M16BG-37E:B TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz267MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit500ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall84-FBGA
Lieferantengerätepaket84-FBGA (8x14)

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Hersteller

Adesto Technologies

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

CBRAM

Speichergröße

512kb (128B Page Size)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100µs, 5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

IDT71V3576S150PF

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

150MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (256 x 4)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2µs

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.25V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

64Mb (4M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

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