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MT46V32M16CV-5B IT:J

MT46V32M16CV-5B IT:J

Nur als Referenz

Teilenummer MT46V32M16CV-5B IT:J
PNEDA Teilenummer MT46V32M16CV-5B-IT-J_D3
Beschreibung IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Hersteller Alliance Memory, Inc.
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MT46V32M16CV-5B IT:J Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT46V32M16CV-5B IT:J
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT46V32M16CV-5B IT:J, MT46V32M16CV-5B IT:J Datenblatt (Total Pages: 93, Größe: 1.613,81 KB)
PDFMT46V32M16TG-5B IT:JTR Datenblatt Cover
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MT46V32M16CV-5B IT:J Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 2.7V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall60-TFBGA
Lieferantengerätepaket60-FBGA (8x12.5)

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

450ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, WLCSP

Lieferantengerätepaket

4-WLCSP

DS1249Y-70IND

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

2Mb (256K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

24-CDIP (0.600", 15.24mm)

Lieferantengerätepaket

24-CDIP

PC28F128P33B85A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

StrataFlash™

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

52MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

85ns

Zugriffszeit

85ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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IS61LPS12836A-200B2LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

4.5Mb (128K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.1ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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