Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MT46V16M16TG-5B:MTR

MT46V16M16TG-5B:MTR

Nur als Referenz

Teilenummer MT46V16M16TG-5B:MTR
PNEDA Teilenummer MT46V16M16TG-5B-MTR
Beschreibung IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP
Hersteller Alliance Memory, Inc.
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 14.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MT46V16M16TG-5B:MTR Ressourcen

Marke Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT46V16M16TG-5B:MTR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT46V16M16TG-5B:MTR, MT46V16M16TG-5B:MTR Datenblatt (Total Pages: 91, Größe: 4.584,57 KB)
PDFMT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Cover
MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 2 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 3 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 4 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 5 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 6 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 7 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 8 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 9 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 10 MT46V16M16TG-5B IT:M Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MT46V16M16TG-5B:MTR Datasheet
  • where to find MT46V16M16TG-5B:MTR
  • Alliance Memory, Inc.

  • Alliance Memory, Inc. MT46V16M16TG-5B:MTR
  • MT46V16M16TG-5B:MTR PDF Datasheet
  • MT46V16M16TG-5B:MTR Stock

  • MT46V16M16TG-5B:MTR Pinout
  • Datasheet MT46V16M16TG-5B:MTR
  • MT46V16M16TG-5B:MTR Supplier

  • Alliance Memory, Inc. Distributor
  • MT46V16M16TG-5B:MTR Price
  • MT46V16M16TG-5B:MTR Distributor

MT46V16M16TG-5B:MTR Technische Daten

HerstellerAlliance Memory, Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR
Speichergröße256Mb (16M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit700ps
Spannung - Versorgung2.5V ~ 2.7V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket66-TSOP II

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

CY62147G30-55BVXE

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

MoBL®

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-VFBGA

Lieferantengerätepaket

48-VFBGA (6x8)

IS64WV51216BLL-10CTLA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

8Mb (512K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms, 2.8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOP2

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

32Gb (512M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

Speichergröße

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Kürzlich verkauft

MAX8556ETE+

MAX8556ETE+

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 4A 16TQFN

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

AD826AR

AD826AR

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

A6H-8101

A6H-8101

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

MAX3645EEE+T

MAX3645EEE+T

Maxim Integrated

IC AMP LIMITING 16-QSOP

SZNUP2105LT1G

SZNUP2105LT1G

ON Semiconductor

TVS DIODE 24V 44V SOT23-3

PM-T44

PM-T44

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR OPT SLOT NPN MODULE

MMA02040C1001FB300

MMA02040C1001FB300

Vishay Beyschlag

RES SMD 1K OHM 1% 0.4W 0204

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

AD5624RBRMZ-3REEL7

AD5624RBRMZ-3REEL7

Analog Devices

IC DAC 12BIT V-OUT 10MSOP

SMBJ10A

SMBJ10A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 10V 17V DO214AA

ADP151ACPZ-3.3-R7

ADP151ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 200MA 6LFCSP