MT41K512M8DA-107 V:P
Nur als Referenz
Teilenummer | MT41K512M8DA-107 V:P |
PNEDA Teilenummer | MT41K512M8DA-107-V-P |
Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 933MHZ |
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.934 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
MT41K512M8DA-107 V:P Ressourcen
Marke | Micron Technology Inc. |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | MT41K512M8DA-107 V:P |
Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT41K512M8DA-107 V:P Datasheet
- where to find MT41K512M8DA-107 V:P
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 V:P
- MT41K512M8DA-107 V:P PDF Datasheet
- MT41K512M8DA-107 V:P Stock
- MT41K512M8DA-107 V:P Pinout
- Datasheet MT41K512M8DA-107 V:P
- MT41K512M8DA-107 V:P Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT41K512M8DA-107 V:P Price
- MT41K512M8DA-107 V:P Distributor
MT41K512M8DA-107 V:P Technische Daten
Hersteller | Micron Technology Inc. |
Serie | - |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3L |
Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 78-TFBGA |
Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (8x10.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 30ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie DRAM Speichergröße 288Mb (32M x 9) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 20ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 144-TFBGA Lieferantengerätepaket 144-FCBGA (11x18.5) |
Renesas Electronics America Hersteller Renesas Electronics America Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM Speichergröße 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP I |
IDT, Integrated Device Technology Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous Speichergröße 72Kb (4K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Micron Technology Inc. Hersteller Micron Technology Inc. Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |