MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT41K512M8DA-107 AAT:P TR |
| PNEDA Teilenummer | MT41K512M8DA-107-AAT-P-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT41K512M8DA-107 AAT:P TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR, MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Datenblatt
(Total Pages: 201, Größe: 16.276,58 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Datasheet
- where to find MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR PDF Datasheet
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Stock
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Pinout
- Datasheet MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Price
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Distributor
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (8x10.5) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 2Mb (256K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 32-EDIP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-LFBGA Lieferantengerätepaket 48-CABGA (7x7) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie NoBL™ Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 18Mb (512K x 36) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-FBGA (13x15) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, DDR IIP Speichergröße 18Mb (1M x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.71V ~ 1.89V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 165-LBGA Lieferantengerätepaket 165-LFBGA (15x17) |
Hersteller Winbond Electronics Serie SpiFlash® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
