MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
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| Teilenummer | MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR |
| PNEDA Teilenummer | MT41K512M16VRN-107-AAT-P-TR |
| Beschreibung | IC SDRAM DDR3 8GB FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.446 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Speichergröße | 8Gb (512M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 933MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
| Zugriffszeit | 20ns |
| Spannung - Versorgung | 1.283V ~ 1.45V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 96-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 96-FBGA (8x14) |
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Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 16Kb (2K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 24-SOIC |
Hersteller Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 2Mb (128K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 20µs Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 3.8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ns Zugriffszeit 10ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 700ps Spannung - Versorgung 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 66-TSOP II |
