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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 AIT:P TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT41K256M16TW-107 AIT:P TR
PNEDA Teilenummer MT41K256M16TW-107-AIT-P-TR
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT41K256M16TW-107 AIT:P TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT41K256M16TW-107 AIT:P TR, MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Datenblatt (Total Pages: 201, Größe: 16.276,58 KB)
PDFMT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Cover
MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 2 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 3 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 4 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 5 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 6 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 7 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 8 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 9 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 10 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 11

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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

4Gb (128M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

208MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14.4ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-WFBGA

Lieferantengerätepaket

168-WFBGA (12x12)

23LC512-I/P

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

AT25080N-10SC-1.8

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

3MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MT46V32M16BN-6:F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-FBGA (10x12.5)

AT49BV040-12TC

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

32-TSOP

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