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MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P

Nur als Referenz

Teilenummer MT41K256M16TW-107 AAT:P
PNEDA Teilenummer MT41K256M16TW-107-AAT-P
Beschreibung IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT41K256M16TW-107 AAT:P Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT41K256M16TW-107 AAT:P
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT41K256M16TW-107 AAT:P, MT41K256M16TW-107 AAT:P Datenblatt (Total Pages: 201, Größe: 16.276,58 KB)
PDFMT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Cover
MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 2 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 3 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 4 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 5 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 6 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 7 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 8 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 9 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 10 MT41K256M16TW-107 AUT:P Datenblatt Seite 11

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MT41K256M16TW-107 AAT:P Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße4Gb (256M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x14)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (32M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

AT45DB321E-CCUF-T

Adesto Technologies

Hersteller

Adesto Technologies

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (528 Bytes x 8192 pages)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

85MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8µs, 4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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DS1250WP-150

Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

NVSRAM

Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

34-PowerCap Module

MT48LC64M4A2P-7E:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

256Mb (64M x 4)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

54-TSOP II

AT24C01D-XHM-T

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

4.5µs

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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