Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MT41K1G8RKB-107:P

MT41K1G8RKB-107:P

Nur als Referenz

Teilenummer MT41K1G8RKB-107:P
PNEDA Teilenummer MT41K1G8RKB-107-P
Beschreibung IC SDRAM 8G DIE
Hersteller Micron Technology Inc.
Stückpreis
1 ---------- $360,1837
50 ---------- $343,3001
100 ---------- $326,4165
200 ---------- $309,5329
400 ---------- $295,4632
500 ---------- $281,3935
Auf Lager 1.303
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MT41K1G8RKB-107:P Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT41K1G8RKB-107:P
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT41K1G8RKB-107:P, MT41K1G8RKB-107:P Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 301,18 KB)
PDFMT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Cover
MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 2 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 3 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 4 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 5 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 6 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 7 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 8 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 9 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 10 MT41K1G8SN-125:A TR Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • MT41K1G8RKB-107:P Datasheet
  • where to find MT41K1G8RKB-107:P
  • Micron Technology Inc.

  • Micron Technology Inc. MT41K1G8RKB-107:P
  • MT41K1G8RKB-107:P PDF Datasheet
  • MT41K1G8RKB-107:P Stock

  • MT41K1G8RKB-107:P Pinout
  • Datasheet MT41K1G8RKB-107:P
  • MT41K1G8RKB-107:P Supplier

  • Micron Technology Inc. Distributor
  • MT41K1G8RKB-107:P Price
  • MT41K1G8RKB-107:P Distributor

MT41K1G8RKB-107:P Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße8Gb (1G x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit20ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (8x10.5)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

7019L15PF8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

1.125Mb (128K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

IS42S32400B-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (4M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

143MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-TFBGA

Lieferantengerätepaket

90-TFBGA (8x13)

CY7C1471BV33-133BZI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

6.5ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

IS46DR81280C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

60-TFBGA

Lieferantengerätepaket

60-TWBGA (8x10.5)

MT29C1G12MAADVAML-5 IT

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH, RAM

Technologie

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

Speichergröße

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (32M x 16)(LPDRAM)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

153-VFBGA

Lieferantengerätepaket

153-VFBGA

Kürzlich verkauft

NLC565050T-101K-PF

NLC565050T-101K-PF

TDK

FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

NLV32T-068J-EF

NLV32T-068J-EF

TDK

FIXED IND 68NH 450MA 360 MOHM

IHLP2525CZERR22M01

IHLP2525CZERR22M01

Vishay Dale

FIXED IND 220NH 23A 2.8 MOHM SMD

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

VLS252012HBX-2R2M-1

VLS252012HBX-2R2M-1

TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

NR6045T100M

NR6045T100M

Taiyo Yuden

FIXED IND 10UH 2.5A 61.1 MOHM

2773021447

2773021447

Fair-Rite Products

FERRITE BEAD 2SMD 1LN

BLM21PG221SN1D

BLM21PG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN

FC-12M 32.7680KA-A5

FC-12M 32.7680KA-A5

EPSON

CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

914CE1-9

914CE1-9

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SWITCH SNAP ACTION SPDT 5A 240V