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MT41K128M16JT-125 IT:K TR

MT41K128M16JT-125 IT:K TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT41K128M16JT-125 IT:K TR
PNEDA Teilenummer MT41K128M16JT-125-IT-K-TR
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT41K128M16JT-125 IT:K TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT41K128M16JT-125 IT:K TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT41K128M16JT-125 IT:K TR, MT41K128M16JT-125 IT:K TR Datenblatt (Total Pages: 221, Größe: 16.629,28 KB)
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MT41K128M16JT-125 IT:K TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3L
Speichergröße2Gb (128M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit13.75ns
Spannung - Versorgung1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur-40°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall96-TFBGA
Lieferantengerätepaket96-FBGA (8x14)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

S29GL512S11TFI023

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

SST26VF016B-80E/SM70SVAO

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST26 SQI®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16M (2M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

80MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

1.5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIJ

11AA040T-I/MNY

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kb (512 x 8)

Speicherschnittstelle

Single Wire

Taktfrequenz

100kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-TDFN (2x3)

70P3519S166BCGI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

9Mb (256K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.6ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

256-CABGA (17x17)

IS49NLS18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

288Mb (16M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

300MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

144-TFBGA

Lieferantengerätepaket

144-FCBGA (11x18.5)

Kürzlich verkauft

4608X-102-152LF

4608X-102-152LF

Bourns

RES ARRAY 4 RES 1.5K OHM 8SIP

TPSD107K010R0100

TPSD107K010R0100

CAP TANT 100UF 10% 10V 2917

MPQ8633BGLE-Z

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 20A 21QFN

ADP2107ACPZ-1.8-R7

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Analog Devices

IC REG BUCK 1.8V 2A 16LFCSP

MAX3387EEUG+T

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TAJA475K016RNJ

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CAP TANT 4.7UF 10% 16V 1206

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CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

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FSA2567MPX

ON Semiconductor

IC SWITCH 4PDT 16MLP

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS