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MT41J256M8HX-15E:D TR

MT41J256M8HX-15E:D TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT41J256M8HX-15E:D TR
PNEDA Teilenummer MT41J256M8HX-15E-D-TR
Beschreibung IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT41J256M8HX-15E:D TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT41J256M8HX-15E:D TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT41J256M8HX-15E:D TR, MT41J256M8HX-15E:D TR Datenblatt (Total Pages: 212, Größe: 2.820,67 KB)
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MT41J256M8HX-15E:D TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR3
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit13.5ns
Spannung - Versorgung1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur0°C ~ 95°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall78-TFBGA
Lieferantengerätepaket78-FBGA (9x11.5)

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IDT, Integrated Device Technology Inc

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Montagetyp

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

EPROM - OTP

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

1-Wire®

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.8V ~ 6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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6-TSOC

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

16Kb (2K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR3

Speichergröße

8Gb (256M x 32)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

933MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.2V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Paket / Fall

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