MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT40A1G8WE-075E IT:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT40A1G8WE-075E-IT-B-TR |
| Beschreibung | IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.268 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT40A1G8WE-075E IT:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
MT40A1G8WE-075E IT:B TR, MT40A1G8WE-075E IT:B TR Datenblatt
(Total Pages: 391, Größe: 11.348,46 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Datasheet
- where to find MT40A1G8WE-075E IT:B TR
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-075E IT:B TR
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR PDF Datasheet
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Stock
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Pinout
- Datasheet MT40A1G8WE-075E IT:B TR
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Price
- MT40A1G8WE-075E IT:B TR Distributor
MT40A1G8WE-075E IT:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Speichergröße | 8Gb (1G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 1.33GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.14V ~ 1.26V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 78-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 78-FBGA (8x12) |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 2V Betriebstemperatur -30°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 79-VFBGA Lieferantengerätepaket 79-VFBGA (9x11) |
Hersteller Maxim Integrated Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.75V ~ 5.25V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 36-EDIP |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 45ns Zugriffszeit 45ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 32-CDIP |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie e•MMC™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NAND Speichergröße 128Gb (16G x 8) Speicherschnittstelle MMC Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie CD-J Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 16Mb (512K x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 66MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 60ns Zugriffszeit 54ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 2.75V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 80-LBGA Lieferantengerätepaket 80-FBGA (13x11) |
