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MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

Nur als Referenz

Teilenummer MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR
PNEDA Teilenummer MT35XU02GCBA4G12-0SIT-TR
Beschreibung SERIAL NOR SLC 256MX8 TBGA DDP
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT35XU02GCBA4G12-0SIT TR
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieXccela™ - MT35X
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße2Gb (256M x 8)
SpeicherschnittstelleXccela Bus
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall24-TBGA
Lieferantengerätepaket24-TPBGA

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MT48LC8M16A2B4-6A:L TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

54-VFBGA

Lieferantengerätepaket

54-VFBGA (8x8)

W25X64VSFIG

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

SpiFlash®

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

64Mb (8M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

709089S15PFI

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

100-LQFP

Lieferantengerätepaket

100-TQFP (14x14)

S29CL032J0MFAI030

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

CL-J

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (1M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

56MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

54ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

80-LBGA

Lieferantengerätepaket

80-FBGA (13x11)

IS64LPS102436B-166B2LA3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.8ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.465V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

119-BBGA

Lieferantengerätepaket

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