MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR
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| Teilenummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W-80Y-TR |
| Beschreibung | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.986 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat PSRAM Technologie PSRAM (Pseudo SRAM) Speichergröße 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP II |
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