MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR
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| Teilenummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT-B-TR |
| Beschreibung | IC FLASH 128G PARALLEL 167MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.930 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 12 - Mär 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29F128G08AECBBH6-6IT:B TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 128Gb (16G x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 167MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 2.7V ~ 3.6V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | 152-VBGA (14x18) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 32Mb (4M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous Speichergröße 512Kb (64K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 15ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 100-LQFP Lieferantengerätepaket 100-TQFP (14x14) |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns Zugriffszeit 25ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 32-SOIC |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 128Mb (32M x 4) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 8ms, 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOP2 |
