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MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT

MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT

Nur als Referenz

Teilenummer MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT
PNEDA Teilenummer MT29C4G48MAZAPAKQ-5-IT
Beschreibung IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT, MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 421,23 KB)
PDFMT29C8G48MAZAPBJA-5 IT Datenblatt Cover
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MT29C4G48MAZAPAKQ-5 IT Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH, RAM
TechnologieFLASH - NAND, Mobile LPDRAM
Speichergröße4Gb (256M x 16)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall168-WFBGA
Lieferantengerätepaket168-WFBGA (12x12)

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, MS-2

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

18Mb (256K x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

4ns

Spannung - Versorgung

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

256-LBGA

Lieferantengerätepaket

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

13.75ns

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

96-TFBGA

Lieferantengerätepaket

96-FBGA (7.5x13.5)

CY7C1021B-12ZXC

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

M25PE40S-VMW6G

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

75MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ms, 3ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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