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MT28F004B3VG-8 BET

MT28F004B3VG-8 BET

Nur als Referenz

Teilenummer MT28F004B3VG-8 BET
PNEDA Teilenummer MT28F004B3VG-8-BET
Beschreibung IC FLASH 4M PARALLEL 40TSOP I
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT28F004B3VG-8 BET Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT28F004B3VG-8 BET
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT28F004B3VG-8 BET, MT28F004B3VG-8 BET Datenblatt (Total Pages: 30, Größe: 464,38 KB)
PDFMT28F400B3WG-8 TET TR Datenblatt Cover
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MT28F004B3VG-8 BET Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite80ns
Zugriffszeit80ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket40-TSOP I

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Speicherformat

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

400ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

4-WLCSP (0.77x0.77)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

SST25

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

33MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20µs

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

16Gb (256M x 64)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

1600MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.1V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MT49H32M18CFM-25:B TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

DRAM

Speichergröße

576Mb (32M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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-

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