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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

Nur als Referenz

Teilenummer MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
PNEDA Teilenummer MT25QU01GBBB1EW9-0SIT
Beschreibung IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN
Hersteller Micron Technology Inc.
Stückpreis
1 ---------- $203,8785
50 ---------- $194,3217
100 ---------- $184,7649
200 ---------- $175,2081
400 ---------- $167,2441
500 ---------- $159,2801
Auf Lager 8.062
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT25QU01GBBB1EW9-0SIT
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT25QU01GBBB1EW9-0SIT, MT25QU01GBBB1EW9-0SIT Datenblatt (Total Pages: 94, Größe: 1.237,41 KB)
PDFMT25QU01GBBB8ESF-0SIT Datenblatt Cover
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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße1Gb (128M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite8ms, 2.8ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-WPDFN (6x8) (MLP8)

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (64K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

500MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (15x17)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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