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MSS1P6-E3/89A

MSS1P6-E3/89A

Nur als Referenz

Teilenummer MSS1P6-E3/89A
PNEDA Teilenummer MSS1P6-E3-89A
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 60V 1A MICROSMP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MSS1P6-E3/89A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSS1P6-E3/89A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MSS1P6-E3/89A, MSS1P6-E3/89A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 103,54 KB)
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MSS1P6-E3/89A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieeSMP®
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)60V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If680mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr150µA @ 60V
Kapazität @ Vr, F.40pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallMicroSMP
LieferantengerätepaketMicroSMP
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Serie

*

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-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Sanken

Serie

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

Axial

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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SMBT1504T3G

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Hersteller

ON Semiconductor

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*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

9pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 6A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

R6, Axial

Lieferantengerätepaket

R-6

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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