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MSS1P2LHM3_A/H

MSS1P2LHM3_A/H

Nur als Referenz

Teilenummer MSS1P2LHM3_A/H
PNEDA Teilenummer MSS1P2LHM3_A-H
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MSS1P2LHM3_A/H Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSS1P2LHM3_A/H
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MSS1P2LHM3_A/H, MSS1P2LHM3_A/H Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 103,18 KB)
PDFMSS1P3LHM3/89A Datenblatt Cover
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MSS1P2LHM3_A/H Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)20V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If500mV @ 1A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr250µA @ 20V
Kapazität @ Vr, F.65pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AD
LieferantengerätepaketMicroSMP (DO-219AD)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/116

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

75V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 100mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

20ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500nA @ 75V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VSKE320-04

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

STTH3R04

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

IDL06G65C5XUMA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

6A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

110µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

190pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-PowerTSFN

Lieferantengerätepaket

PG-VSON-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

PMEG3030EP,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

360mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

470pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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