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MSRTA500160(A)

MSRTA500160(A)

Nur als Referenz

Teilenummer MSRTA500160(A)
PNEDA Teilenummer MSRTA500160-A
Beschreibung DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Hersteller GeneSiC Semiconductor
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Auf Lager 8.604
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MSRTA500160(A) Ressourcen

Marke GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSRTA500160(A)
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MSRTA500160(A), MSRTA500160(A) Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 430,01 KB)
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MSRTA500160(A) Datenblatt Seite 2

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MSRTA500160(A) Technische Daten

HerstellerGeneSiC Semiconductor
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)500A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.2V @ 500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallThree Tower
LieferantengerätepaketThree Tower

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Diodenkonfiguration

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Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

1200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

22µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200mA @ 2600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

STMicroelectronics

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-

Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

670mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

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