MSRT200160(A)D
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSRT200160(A)D |
| PNEDA Teilenummer | MSRT200160-A-D |
| Beschreibung | DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.740 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSRT200160(A)D Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSRT200160(A)D |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
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MSRT200160(A)D Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1600V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 200A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 1600V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Three Tower |
| Lieferantengerätepaket | Three Tower |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 100A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 50A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 90ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 25µA @ 50V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
