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MSM51V18165F-60J3-7

MSM51V18165F-60J3-7

Nur als Referenz

Teilenummer MSM51V18165F-60J3-7
PNEDA Teilenummer MSM51V18165F-60J3-7
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ
Hersteller Rohm Semiconductor
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MSM51V18165F-60J3-7 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSM51V18165F-60J3-7
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MSM51V18165F-60J3-7, MSM51V18165F-60J3-7 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 345,35 KB)
PDFMSM51V18165F-60T3 Datenblatt Cover
MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 2 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 3 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 4 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 5 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 6 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 7 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 8 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 9 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 10 MSM51V18165F-60T3 Datenblatt Seite 11

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MSM51V18165F-60J3-7 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite104ns
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket42-SOJ

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Quad I/O

Taktfrequenz

20MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2.2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

CYPT1049DV33-12FZMB

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 3V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IS43R16320D-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

700ps

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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MT29F64G08CBAABWP-12Z:A

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

64Gb (8G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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