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MSM5118165F-60J3-7

MSM5118165F-60J3-7

Nur als Referenz

Teilenummer MSM5118165F-60J3-7
PNEDA Teilenummer MSM5118165F-60J3-7
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.508
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MSM5118165F-60J3-7 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSM5118165F-60J3-7
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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MSM5118165F-60J3-7 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße16Mb (1M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite-
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket42-SOJ

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

32Mb (4M x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM

Speichergröße

512Mb (64M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

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Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

40MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 2V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

56-TSOP

M29W128GL70N6F TR

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

S29GL032N90DAI010

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-N

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

90ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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