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MSM5117400F-60J3-7

MSM5117400F-60J3-7

Nur als Referenz

Teilenummer MSM5117400F-60J3-7
PNEDA Teilenummer MSM5117400F-60J3-7
Beschreibung IC DRAM 16M PARALLEL 26SOJ
Hersteller Rohm Semiconductor
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MSM5117400F-60J3-7 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSM5117400F-60J3-7
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MSM5117400F-60J3-7, MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 252,7 KB)
PDFMSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Cover
MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 2 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 3 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 4 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 5 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 6 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 7 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 8 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 9 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 10 MSM5117400F-60J3-7 Datenblatt Seite 11

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MSM5117400F-60J3-7 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieDRAM
Speichergröße16Mb (4M x 4)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite110ns
Zugriffszeit30ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

1Kb (128 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-UFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-UDFN (2x3)

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR4

Speichergröße

4Gb (256M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

1.6GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

19ns

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.26V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

96-FBGA (7.5x13.5)

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP II

CY7C1474BV25-167BGI

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (1M x 72)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

167MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

209-BGA

Lieferantengerätepaket

209-FBGA (14x22)

7006L15PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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