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MSKD60-18

MSKD60-18

Nur als Referenz

Teilenummer MSKD60-18
PNEDA Teilenummer MSKD60-18
Beschreibung DIODE MODULE 1.8KV 60A D1
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.286
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MSKD60-18 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSKD60-18
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
MSKD60-18, MSKD60-18 Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 161,38 KB)
PDFMSKD60-18 Datenblatt Cover
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MSKD60-18 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 200A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr5mA @ 1800V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallD1
LieferantengerätepaketD1

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

36A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 800V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D1

Lieferantengerätepaket

D1

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Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

CPT40145

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

570mV @ 200A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10mA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

MD3CC

Lieferantengerätepaket

MD3CC

VBT1045CBP-E3/8W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

TMBS®

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

580mV @ 5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 45V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

200°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

FERD40L60CG-TR

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

FERD (Field Effect Rectifier Diode)

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

20A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

545mV @ 20A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1.1mA @ 60V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

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