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MSE1PJHM3J/89A

MSE1PJHM3J/89A

Nur als Referenz

Teilenummer MSE1PJHM3J/89A
PNEDA Teilenummer MSE1PJHM3J-89A
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 1A MICROSMP
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 32.016
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MSE1PJHM3J/89A Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSE1PJHM3J/89A
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
MSE1PJHM3J/89A, MSE1PJHM3J/89A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 104,59 KB)
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MSE1PJHM3J/89A Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieAutomotive, AEC-Q101
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.1V @ 1A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)780ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.5pF @ 4V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallDO-219AD
LieferantengerätepaketMicroSMP (DO-219AD)
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

740mV @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

1N1201R

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

*

Diodentyp

-

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

-

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

RF1005TF6S

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NFM

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

CD216A-B140LF

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Hersteller

Bourns Inc.

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

60pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-216AA

Lieferantengerätepaket

DO-216AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

1N459

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25nA @ 175V

Kapazität @ Vr, F.

6pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

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