MSCD120-08
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSCD120-08 |
| PNEDA Teilenummer | MSCD120-08 |
| Beschreibung | DIODE MODULE 800V 120A D1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.920 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 5 - Feb 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSCD120-08 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSCD120-08 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Arrays |
| Datenblatt |
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MSCD120-08 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Series Connection |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
| Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 120A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.43V @ 300A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 6mA @ 800V |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | D1 |
| Lieferantengerätepaket | D1 |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) 300A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Three Tower Lieferantengerätepaket Three Tower |
