MSC040SMA120J
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| Teilenummer | MSC040SMA120J |
| PNEDA Teilenummer | MSC040SMA120J |
| Beschreibung | GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MSC040SMA120J Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSC040SMA120J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MSC040SMA120J Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 53A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1990pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 (ISOTOP®) |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 100mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.58nC @ 4V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50.54pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 425mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6) Paket / Fall 3-UFDFN |
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