MSC025SMA120B
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| Teilenummer | MSC025SMA120B |
| PNEDA Teilenummer | MSC025SMA120B |
| Beschreibung | GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.778 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MSC025SMA120B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSC025SMA120B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MSC025SMA120B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 103A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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