MSC025SMA120B
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| Teilenummer | MSC025SMA120B |
| PNEDA Teilenummer | MSC025SMA120B |
| Beschreibung | GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO- |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.778 |
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MSC025SMA120B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSC025SMA120B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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MSC025SMA120B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 103A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Ta), 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1460pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ SQ Paket / Fall DirectFET™ Isometric SQ |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 45W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket ITO-220S Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
