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MSC010SDA120K

MSC010SDA120K

Nur als Referenz

Teilenummer MSC010SDA120K
PNEDA Teilenummer MSC010SDA120K
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220-2
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.624
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MSC010SDA120K Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSC010SDA120K
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single

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MSC010SDA120K Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
DiodentypSilicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)10A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 10A
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)0ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr-
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-2
LieferantengerätepaketTO-220 [K]
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Powerex Inc.

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-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

2000V

Current - Average Rectified (Io)

600A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.19V @ 1800A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40mA @ 2000V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Hersteller

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5.6ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

55pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

660mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

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Hersteller

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Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

250mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

150nA @ 250V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

MBR6020R

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Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

650mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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