MSC010SDA120B
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| Teilenummer | MSC010SDA120B |
| PNEDA Teilenummer | MSC010SDA120B |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MSC010SDA120B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSC010SDA120B |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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MSC010SDA120B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 15A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 15A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 90µA @ 1200V Kapazität @ Vr, F. 1200pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 175°C |
Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.35V @ 40V Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 110pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 400µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
