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MRFE6S9160HSR3

MRFE6S9160HSR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6S9160HSR3
PNEDA Teilenummer MRFE6S9160HSR3
Beschreibung FET RF 66V 880MHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRFE6S9160HSR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6S9160HSR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6S9160HSR3, MRFE6S9160HSR3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 543,59 KB)
PDFMRFE6S9160HSR5 Datenblatt Cover
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MRFE6S9160HSR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn21dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.2A
Leistung - Leistung35W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

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Serie

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Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

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Stromtest

-

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Transistortyp

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Frequenz

800MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.6dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

19.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

700mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-3

Lieferantengerätepaket

DFM6

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

7.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

60V

Paket / Fall

SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

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