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MRFE6S9130HSR5

MRFE6S9130HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6S9130HSR5
PNEDA Teilenummer MRFE6S9130HSR5
Beschreibung FET RF 66V 880MHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.290
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRFE6S9130HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6S9130HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6S9130HSR5, MRFE6S9130HSR5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 452,86 KB)
PDFMRFE6S9130HSR5 Datenblatt Cover
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MRFE6S9130HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung27W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

175MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

TO-272BA

Lieferantengerätepaket

TO-272-6 WRAP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

728MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

OM-780-2

Lieferantengerätepaket

OM-780-2

BLP05H6150XRGY

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

27dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1224-2

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

PTFA191001F V4 R250

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.96GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

44dBm

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-37248-2

PTF141501E V1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

GOLDMOS®

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.5GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-30260-2

Kürzlich verkauft

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

LH1511BAB

LH1511BAB

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SSR RELAY SPST-NC 200MA 0-200V

BC857B

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TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

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TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

ZVP4424GTA

ZVP4424GTA

Diodes Incorporated

MOSFET P-CH 240V 0.48A SOT223

FIN1002M5X

FIN1002M5X

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MCP1725-3302E/MC

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WSL2512R0250FEA

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