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MRFE6S9130HSR5

MRFE6S9130HSR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRFE6S9130HSR5
PNEDA Teilenummer MRFE6S9130HSR5
Beschreibung FET RF 66V 880MHZ NI-780S
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.290
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRFE6S9130HSR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRFE6S9130HSR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRFE6S9130HSR5, MRFE6S9130HSR5 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 452,86 KB)
PDFMRFE6S9130HSR5 Datenblatt Cover
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MRFE6S9130HSR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz880MHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung27W
Spannung - Nennspannung66V
Paket / FallNI-780S
LieferantengerätepaketNI-780S

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-360S

Lieferantengerätepaket

NI-360S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

UF2820P

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

100MHz ~ 500MHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

2.8A

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

BLP05H6150XRGY

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

108MHz

Gewinn

27dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

135V

Paket / Fall

SOT-1224-2

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

Kürzlich verkauft

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

AUIRF2804S

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Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

CY62187EV30LL-55BAXI

CY62187EV30LL-55BAXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 64M PARALLEL 48FBGA

MCP6002-E/SN

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Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

WSL20108L000FEA

WSL20108L000FEA

Vishay Dale

RES 0.008 OHM 1% 1/2W 2010

FMMT618TA

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Diodes Incorporated

TRANS NPN 20V 2.5A SOT23-3

PIC16F72-I/SO

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 28SOIC

FXLP34P5X

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IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL SC70-5

EEE-FK1J220P

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