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MRF8VP13350NR5

MRF8VP13350NR5

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8VP13350NR5
PNEDA Teilenummer MRF8VP13350NR5
Beschreibung RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-13
Hersteller NXP
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MRF8VP13350NR5 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8VP13350NR5
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8VP13350NR5, MRF8VP13350NR5 Datenblatt (Total Pages: 23, Größe: 801,85 KB)
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MRF8VP13350NR5 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz700MHz ~ 1.3GHz
Gewinn19.2dB
Spannungstest50V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung350W
Spannung - Nennspannung100V
Paket / FallOM-780-4L
LieferantengerätepaketOM-780-4L

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.16GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.05A

Leistung - Leistung

23W

Spannung - Nennspannung

68V

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TO-272 WB-4

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

36V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

250W

Spannung - Nennspannung

75V

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SOT-502A

Lieferantengerätepaket

LDMOST

PD55008-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

500MHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

4A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

40V

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NXP USA Inc.

Serie

-

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28V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

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40mA

Leistung - Leistung

2.4W

Spannung - Nennspannung

65V

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Lieferantengerätepaket

24-PQFN (8x8)

BLF879PSIN

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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