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MRF8S9170NR3

MRF8S9170NR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S9170NR3
PNEDA Teilenummer MRF8S9170NR3
Beschreibung FET RF 70V 920MHZ OM780-2
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.888
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF8S9170NR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S9170NR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
MRF8S9170NR3, MRF8S9170NR3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 505,09 KB)
PDFMRF8S9170NR3 Datenblatt Cover
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MRF8S9170NR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz920MHz
Gewinn19.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1A
Leistung - Leistung50W
Spannung - Nennspannung70V
Paket / FallOM-780-2
LieferantengerätepaketOM-780-2

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Serie

-

Transistortyp

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Frequenz

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Gewinn

17dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

85mA

Leistung - Leistung

80W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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H-37248-4

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.7GHz ~ 3.1GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT502A

MPF102G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

20mA

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

25V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

6.3W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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