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MRF8S8260HR3

MRF8S8260HR3

Nur als Referenz

Teilenummer MRF8S8260HR3
PNEDA Teilenummer MRF8S8260HR3
Beschreibung FET RF 70V 895MHZ NI880
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.406
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MRF8S8260HR3 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF8S8260HR3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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MRF8S8260HR3 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz895MHz
Gewinn21.1dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.5A
Leistung - Leistung70W
Spannung - Nennspannung70V
Paket / FallNI-880
LieferantengerätepaketNI-880

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.4GHz

Gewinn

17.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.1A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.452GHz ~ 1.511GHz

Gewinn

18.8dB

Spannungstest

31V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1A

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

OM-1230-4L2S

Lieferantengerätepaket

OM-1230-4L2S

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